CSD16403Q5A_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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CSD16403Q5A N溝道MOS管采用DFN5X6-8L封裝，以其緊湊尺寸實(shí)現(xiàn)高性能集成。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流，確保在高電壓大電流應(yīng)用中的穩(wěn)定運(yùn)行。其獨(dú)特的低導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為2mΩ，助力降低功耗、提升整體能效，廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率場(chǎng)合，是實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能電路設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
