SI4431CDY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
SI4431CDY-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，適用于空間有限的電路設(shè)計(jì)。該器件具有30V的漏源電壓(VDSS)，可處理6A的連續(xù)漏極電流(ID)，并以其低至28mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，在同類產(chǎn)品中展現(xiàn)出優(yōu)越的能效與低損耗性能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等方面，是提升系統(tǒng)整體效能的理想半導(dǎo)體元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會(huì)員等級：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013
