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FDS6675BZ_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:P溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/12.0A 參數(shù)4:RDON/10.0mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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FDS6675BZ P溝道MOSFET采用SOP-8封裝工藝,專為高效能、大電流應用設計。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS),并能持續(xù)承載高達12A的大電流,其突出優(yōu)勢在于僅有10mΩ的導通電阻,確保在高功率狀態(tài)下也能展現(xiàn)出卓越的能效表現(xiàn)。廣泛應用在電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負載開關等領域,以強大的電流處理能力和絕佳的電氣性能,為您的電路設計提供強有力的支持。



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