SI4168DY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI4168DY-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOS管，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高密度電子設(shè)計打造。該器件支持30V的最大漏源電壓（VDSS），可處理高達18A的連續(xù)電流，展現(xiàn)了卓越的電流承載能力。其獨特亮點是擁有低至5.5mR的導(dǎo)通電阻（RD(on)），助力系統(tǒng)提升能效，降低功耗，廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和其他需高效能、低阻抗半導(dǎo)體組件的領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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