NDS355N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
NDS355N 是一款采用SOT-23封裝的N溝道MOSFET，以緊湊體積實現(xiàn)高性能輸出。它支持30V的最大漏源電壓(VDSS)，并在滿負荷下可持續(xù)提供4A的漏極電流(ID)，展現(xiàn)了強大的電流處理能力。此外，29mΩ的超低導通電阻(RD(on))確保了優(yōu)異的能源效率，減少了不必要的能量損耗。此款MOS管適用于電源轉換、電機驅動、負載開關等多元領域，是高集成度、高效能電子設計的理想選擇。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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