Si2316DS-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2316DS-T1-E3 是一款采用先進(jìn)N溝道技術(shù)的MOS管，封裝小巧的SOT-23，尤其適合空間受限的設(shè)計需求。其電氣特性出色，具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承受4A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保了強(qiáng)大的電流處理性能。而29mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))使得器件在工作狀態(tài)下功耗更低，提升整體能效。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等場景，是高效、節(jié)能半導(dǎo)體解決方案的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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