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Si2302ADS_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/20.0V 參數(shù)3:ID/2.3A 參數(shù)4:RDON/48.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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Si2302ADS 型號MOS管采用了緊湊型SOT-23封裝,搭載高效N溝道技術(shù),適于各類精密電子設(shè)計。此器件具備20V的漏源擊穿電壓(VDSS),可穩(wěn)定承載高達2.3A的連續(xù)漏極電流(ID),在中小功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其48mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))意味著更低的能量損耗和更高的電路效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)控制和其他低壓開關(guān)電路,是提升系統(tǒng)性能與節(jié)能效果的理想選擇。



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