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DMG3418L_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/5.8A 參數(shù)4:RDON/28.0mR 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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DMG3418L N溝道MOSFET,采用緊湊型SOT-23封裝技術,為現(xiàn)代電路設計提供了高功率密度解決方案。這款器件具備30V的高額定漏源電壓(VDSS),并可在導通狀態(tài)下輕松駕馭高達5.8A的漏極電流(ID),同時展現(xiàn)出令人稱贊的低導通電阻,僅為28mR(RD(on)),確保了卓越的能效表現(xiàn)。DMG3418L MOS管廣泛應用于開關電源、高速電機驅動以及眾多高性能電子系統(tǒng)中,是您構建強大而又節(jié)能的電路系統(tǒng)的得力助手。



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