Si2312CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2312CDS-T1-GE3 是一款高性價比N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適用于空間受限且需高效能的電子設(shè)計。器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定提供6A的漏極電流(ID)，同時擁有低至22mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了優(yōu)秀的電能轉(zhuǎn)換效率和低功耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、負載開關(guān)、馬達驅(qū)動等場景，是小型化、節(jié)能型電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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