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BSH111BKR_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/60.0V 參數3:ID/0.3A 參數4:RDON/1000.0mR 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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BSH111BKR 是一款N溝道MOSFET,采用小型SOT-23封裝,特別適用于緊湊型電子設計。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS),可承載0.3A的連續(xù)漏極電流(ID),且因其卓越的導通性能,導通電阻低至1000mR,有效減少能源損耗,提升系統效率。廣泛運用于電源轉換、開關控制、電機驅動等各種電路中,是您實現低功耗、高性能設計的理想半導體元件。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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