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DMN65D8LQ_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/0.3A 參數(shù)4:RDON/1000.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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DMN65D8LQ 是一款高性能N溝道MOSFET,采用微型SOT-23封裝,專為現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備設(shè)計。器件具備60V的高耐壓(VDSS),可承載0.3A的連續(xù)漏極電流(ID),且其優(yōu)越的導(dǎo)通性能體現(xiàn)在低至1000mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))上,有效降低能耗,提升系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等電路中,是實現(xiàn)高效、節(jié)能應(yīng)用的理想半導(dǎo)體元件。



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