Si2342DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2342DS-T1-GE3 是一款高品質(zhì)N溝道MOS管，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝，特別適合現(xiàn)代緊湊型電路設(shè)計(jì)需求。其關(guān)鍵特性包括額定電壓VDSS高達(dá)20V，能夠承載高達(dá)7A的連續(xù)電流，展現(xiàn)強(qiáng)勁的電力驅(qū)動(dòng)能力。更值得一提的是，器件的導(dǎo)通電阻RD(on)低至15mΩ，確保在工作狀態(tài)下具有極低的能量損耗與高效的能效表現(xiàn)，是您優(yōu)化系統(tǒng)性能、提高能源利用率的絕佳選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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