SQ2362ES-T1_GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/42.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SQ2362ES-T1_GE3 是一款N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為緊湊型和便攜式電子設(shè)備設(shè)計。器件可在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，提供穩(wěn)定的5A漏極電流(ID)，特別適用于對空間和功率有一定要求的應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻僅為42mΩ，有助于提升系統(tǒng)能效并降低能耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)等小型電路中，是高集成度和高性能電子設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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