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SI2309CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:P溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/2.0A 參數(shù)4:RDON/160.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SI2309CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET,采用小巧的SOT-23封裝,適用于空間緊湊的高效電路設(shè)計。該器件具備60V的漏源電壓額定值(VDSS),能在160mR(RD(on))的導(dǎo)通電阻下穩(wěn)定傳遞2A漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)電路、負(fù)載開關(guān)等場景,憑借其出色的電壓耐受力與良好的電流控制特性,成為您提升系統(tǒng)效能和可靠性的理想半導(dǎo)體組件。



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