Si2338DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2338DS-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合于高密度電路設(shè)計(jì)。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，具備強(qiáng)大的電流承載能力，可持續(xù)處理5.8A漏極電流(ID)，且在導(dǎo)通狀態(tài)下具有極低的22mR導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效提升了功率轉(zhuǎn)換效率。此款MOS管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、以及其他高功率電子設(shè)備中，助力實(shí)現(xiàn)高效能、低損耗的系統(tǒng)方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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