Si2312BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/3.0A 參數4：RDON/23.0mR 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
Si2312BDS-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高集成度和低功耗應用設計。器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承受3A的連續(xù)漏極電流(ID)，憑借其卓越的23mΩ導通電阻(RD(on))，在保證高效率的同時有效降低功耗。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池保護等電路中，是實現小型化、節(jié)能電子設備的理想半導體元件。
