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DMN2075U_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/20.0V 參數(shù)3:ID/3.0A 參數(shù)4:RDON/23.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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DMN2075U 是一款高性能N溝道MOSFET,采用緊湊型SOT-23封裝,專為高效率和小型化電子設(shè)計(jì)。該器件擁有20V的最大漏源電壓(VDSS),能夠承載3A的連續(xù)漏極電流(ID),并以其出色的23mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了卓越的能效和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域,是實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能電子解決方案的精選半導(dǎo)體元件。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
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