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Si2308BDS-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/3.0A 參數(shù)4:RDON/72.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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Si2308BDS-T1-E3 N溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝,專為高密度電子設(shè)計提供解決方案。此器件具備強大性能,工作電壓高達(dá)60V,連續(xù)輸出電流達(dá)3A,且擁有優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻僅為72mΩ,顯著提升系統(tǒng)效率并降低能耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及電機驅(qū)動等廣泛應(yīng)用領(lǐng)域,以卓越的品質(zhì)與可靠的性能,助您的電路設(shè)計實現(xiàn)效能升級。

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