PMV40UN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/33.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
PMV40UN2R N溝道MOS管采用節(jié)省空間的SOT-23封裝，專為優(yōu)化電路布局而設計。器件支持最大30V的漏源極電壓(VDSS)，具備5A的強大連續(xù)漏極電流(ID)處理能力，適用于多種中高功率應用場合。其亮點在于擁有33mΩ的低導通電阻(RD(on))，顯著降低功耗，提升能效表現(xiàn)。這款MOS管廣泛應用在電源管理、電池保護、以及其他需要高效能、小體積半導體解決方案的領域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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