Si2329DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2329DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用經(jīng)濟(jì)高效的SOT-23封裝，適合各類緊湊型電路設(shè)計(jì)。該器件亮點(diǎn)在于具備20V的最大工作電壓VDSS，可穩(wěn)定輸出5A的漏極電流；并且擁有30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，確保了更低的功率損耗和更高的系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等相關(guān)領(lǐng)域，是您在設(shè)計(jì)高集成度和節(jié)能方案時的理想MOS管器件選擇。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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