Si2305CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2305CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用輕巧的SOT-23封裝，專為小型化電子設(shè)備提供高效能解決方案。該器件擁有以下關(guān)鍵特性最大工作電壓VDSS為20V，確保在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行；具備5A的漏極電流能力，滿足多種電流需求；導(dǎo)通電阻RD(on)低至30mΩ，有助于減少功耗，提升整體效率。廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)控制和電池保護等場景，是您理想中的高集成度與節(jié)能型MOS管組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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