Si2323DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
Si2323DS-T1-GE3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代微小電子設(shè)備設(shè)計(jì)。主要參數(shù)包括最大工作電壓VDSS為20V，能穩(wěn)定傳輸5A的漏極電流；導(dǎo)通電阻RD(on)僅為30mΩ，有效降低能耗，提高系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用在電源管理、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等多個領(lǐng)域，是您追求高集成度與節(jié)能效果的理想MOS管選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會員等級：會員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013
