SI1012R-T1-GE3_SOT-523_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SI1012R-T1-GE3 是一款采用微型SOT-523封裝的高品質N溝道MOSFET。它具備卓越的電氣性能，工作電壓VDSS高達20V，可承載最大連續(xù)電流ID為0.8A，而且擁有極為出色的導通電阻RD(on)僅100mR，有助于提升系統(tǒng)能效并減小能耗。此款MOS管適合用于電源轉換、電池供電設備、智能家居產品及其他空間受限但需高性能開關功能的場合，是工程師優(yōu)化電路設計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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