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ST16N10_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/100.0V 參數(shù)3:ID/15.0A 參數(shù)4:RDON/100.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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ST16N10 N溝道MOS管,采用緊湊型TO-252-2L封裝,適用于100V高電壓環(huán)境下的中等電流應(yīng)用。器件提供高達100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID),確保在高電壓系統(tǒng)中的穩(wěn)定性能表現(xiàn)。其導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR,盡管電阻值相對較高,但在合理電流范圍內(nèi)仍能維持高效能。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域,是注重成本與性能平衡的優(yōu)秀半導(dǎo)體組件。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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