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AOD508_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/150.0A 參數(shù)4:RDON/2.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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AOD508 N溝道MOS管采用高效封裝TO-252-2L,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化和高性能需求量身定制。該器件具有30V的最大漏源耐壓(VDSS),能夠穩(wěn)定承載高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流(ID),凸顯出卓越的電流處理性能。其核心亮點在于僅為2mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on),有效減少了能量損失,提升了整體系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等多個領(lǐng)域,是追求高效、節(jié)能方案的不二之選。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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