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STN484D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/50.0A 參數(shù)4:RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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STN484D 是一款高性能N溝道MOSFET,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝,專為處理高功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件具有卓越的電氣性能工作電壓VDSS高達(dá)30V,可承載峰值電流ID為50A,尤其值得關(guān)注的是其超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7.5mR,有效減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)以及各種需要大電流、低阻抗開關(guān)特性的場合,是提升電路性能的理想選擇。



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