IRLR024NPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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IRLR024NPBF 是一款高性能N溝道MOS管，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，結(jié)構(gòu)緊湊且散熱良好。該器件亮點(diǎn)在于具備60V的最大漏源電壓(VDSS)和20A的連續(xù)漏極電流(ID)，能有效應(yīng)對高壓大電流應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻低至27mΩ，顯著提升系統(tǒng)能效，降低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等電路設(shè)計，是高功率、高效能電子設(shè)備的優(yōu)選組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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