IRFR120NPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IRFR120NPBF N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，專為中等電流、100V高電壓應(yīng)用環(huán)境設(shè)計。該器件具有高達100V的漏源耐壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高壓電路中穩(wěn)定可靠工作。盡管導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，但憑借出色的電流承載能力和適用范圍，它仍然在電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動控制、電池管理等領(lǐng)域展現(xiàn)出較高的性價比。是工程師在設(shè)計中考慮性能與成本均衡的優(yōu)選半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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