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AOD424G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/20.0V 參數(shù)3:ID/80.0A 參數(shù)4:RDON/3.5mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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AOD424G 是一款高性能N溝道MOSFET,采用常見的TO-252-2L封裝,適用于各種中高功率電子設(shè)備。該器件具備20V的漏源電壓(VDSS),可承載高達80A的連續(xù)漏極電流(ID),并在導(dǎo)通狀態(tài)下展現(xiàn)卓越的低電阻特性,僅3.5mΩ(RD(on)),有效降低系統(tǒng)損耗,提高能效。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動控制、大電流開關(guān)等領(lǐng)域,是提升系統(tǒng)性能和節(jié)能性的理想半導(dǎo)體元件。



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