IRFR3709ZPBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IRFR3709ZPBF 是一款采用TO-252-2L封裝的高性能N溝道MOS管，專為高效能、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有30V的最大漏源電壓VDSS，能夠承載高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流ID，確保在高壓、大電流環(huán)境下穩(wěn)定工作。其突出優(yōu)勢(shì)在于導(dǎo)通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，有效降低功率損耗，提高能源利用率。IRFR3709ZPBF MOS管廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率場(chǎng)合，以其卓越的性能表現(xiàn)成為眾多電子設(shè)計(jì)的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
