原理

N溝道MOSFET通過控制柵源電壓來控制源漏間電子通路的導通與截止。當柵源電壓高于閾值電壓時，柵極下方會形成N型導電溝道，源極電子在電場作用下流向漏極，實現電流導通，且改變柵源電壓可調節(jié)溝道寬窄和漏極電流。

 

增強型N溝道MOSFET在VGS = 0時截止，VGS大于閾值電壓（Vth）時才會出現導電溝道；耗盡型N溝道MOSFET在VGS = 0時就存在導電溝道，施加反向電壓（VGS < 0）會使溝道變窄，VGS達到某負值時溝道消失，器件截止。增強型可以理解為常閉，需要有外來的電壓將它打開，耗盡型可以理解為常開，需要有外來的電壓將它關閉。

 

產品特性

合科泰半導體推出的N溝道MOSFET管HKTD50N03性能卓越，兼具超低導通電阻、高電流承載能力和優(yōu)異的散熱性能等優(yōu)勢。它具備高效功率轉換和快速開關能力，特別適用于低功率DC-DC轉換器、負載開關以及表面貼裝設備等應用。其電學特性表現優(yōu)異，包括直流反向電壓30V、正向電流50A@25℃、正向涌浪電流112A、反向電流1μA@25℃以及正向電壓1.0V至3.0V。

 

HKTD50N03產品采用TO-252封裝，這是一種表面貼裝（SMD）形式。TO-252封裝的產品具有緊湊的尺寸、優(yōu)異的散熱性能和高可靠性，適合于在高密度電路板和自動化生產線中使用。N溝道MOSFET具有非常好的電學性能，如超低導通電阻、高電流承載能力和快速開關特性，適用于電源管理、負載開關和DC-DC轉換器等產品。

 

 

產品應用

HKTD50N03型號N溝道MOSFET的具有很好的功率處理能力和高效開關性能，應用特別地廣泛在低功率DC-DC轉換器、負載開關、電源管理系統(tǒng)、電機驅動以及消費電子產品等產品上，均可見到它的身影。

 

HKTD50N03產品具有很好的特性，它可以和電容、電阻、電感、二極管以及控制器IC等元器件進行合理的連接，構成高效、穩(wěn)定的電路，可以實現功率轉換、負載控制、信號放大、開關控制以及能量管理等多種功能。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設計、生產、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術及專精特新企業(yè)。

 

產品包括：

1、半導體封裝材料；2、被動元件，主要有：電阻、電容、電感；3、半導體分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他集成電路等。

 

合科泰設有兩個智能生產制造中心：

1、中國華南地區(qū)的制造中心，位于惠州市博羅縣的合科泰科技智能制造園區(qū)，建筑面積75000㎡，擁有先進設備及檢測儀器1000多臺，在當地配套集團物流配送中心，而東莞塘廈生產中心為目前生產基地；

2、中國西南地區(qū)的制造中心，位于四川省南充市順慶區(qū)科創(chuàng)中心，廠房面積35000㎡，擁有先進設備和檢測儀器儀表約2000臺；

 

2024年合科泰全面拓寬產品線，在四川南充成立三家子公司，分別是：

1、順芯半導體，主要負責研發(fā)生產集成電路功率器件；

2、南充安昊，主要負責研發(fā)生產晶片電阻和車規(guī)級電阻；

3、南充晶科，主要負責研發(fā)生產半導體封裝材料；

產品線拓寬后將最大程度滿足客戶需求。

 

合科泰堅持客戶至上、品質第一、創(chuàng)新驅動、以人為本的經營方針，為客戶提供一站式應用解決方案服務。同時合科泰提供半導體芯片和分立器件封裝測試OEM代工等綜合性業(yè)務。

 

合科泰在集成電路設計、芯片測試、分立器件工藝設計、可靠性實驗等方面積累了豐富核心技術儲備，擁有國家發(fā)明專利、實用新型專利等100多項。

 

合科泰通過了ISO9001、ISO14001、IATF16949體系認證。

 

產品廣泛應用于電源、照明、醫(yī)療電子、小家電、通信、安防儀器、工控、汽車電子等領域。

 

 

掃一掃、聯系合科泰

合科泰銷售電話：18823438533（微信同號）