5月24日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司正式宣布成立，由張新?lián)畏ǘù砣?，其注冊資本高達3440億人民幣。


著眼長效目標解決卡脖子問題

大基金一期成立于2014年，注冊資本987億，主要任務(wù)為集成電路制造產(chǎn)線建設(shè)，為國產(chǎn)替代打下鋪墊，投資領(lǐng)域主要集中于集成電路制造（約67%）。

大基金二期成立于2019年，注冊資本2042億，主要任務(wù)為完善產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，加速國產(chǎn)替代，投資領(lǐng)域更加多元，涵蓋制造、設(shè)計、封測、零部件、材料及應(yīng)用等多個領(lǐng)域。方向是布局核心設(shè)備及關(guān)鍵零部件，確保產(chǎn)業(yè)鏈安全可控。

大基金三期成立于2024年，注冊資本3440億。根據(jù)一、二期投資節(jié)奏以及當前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展現(xiàn)狀，推測大基金三期主要任務(wù)可能是要打通關(guān)鍵的“卡脖子”環(huán)節(jié)，加大對核心技術(shù)、材料、零部件等領(lǐng)域的支持力度。

根據(jù)中信證券統(tǒng)計，大基金一期的投資主要集中在IC制造（63%）、IC設(shè)計（20%）、封裝測試（10%）和設(shè)備材料（7%）等環(huán)節(jié)。根據(jù)財聯(lián)社創(chuàng)投通-執(zhí)中數(shù)據(jù)，大基金二期的投向中，晶圓制造領(lǐng)域比例達到70%，可見制造環(huán)節(jié)由于建廠支出較高，投資金額占比最重；對設(shè)備、材料的投資占比有所增加，達到了10%左右；對IC設(shè)計項目的投資額也達到了10%左右的比例；對封測業(yè)的出資比例則有所下降。

考慮到目前先進制造和配套的設(shè)備、材料、零部件、EDA、IP等供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)存在“卡脖子”問題，我們預(yù)計對于相關(guān)領(lǐng)域龍頭企業(yè)的支持力度有望持續(xù)加大。同時，由于晶圓廠資本支出中約80%用于購置半導(dǎo)體設(shè)備，投資于晶圓廠建廠的支出也將使半導(dǎo)體設(shè)備、零部件及材料廠商顯著受益。


擴產(chǎn)有望逐步落地，

看好半導(dǎo)體設(shè)備自主可控大趨勢

半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基本支撐，中國半導(dǎo)體設(shè)備市場空間廣闊。半導(dǎo)體設(shè)備處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，為半導(dǎo)體支撐產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體設(shè)備主要分為前道設(shè)備和后道設(shè)備，前道設(shè)備包括光刻、刻蝕、清洗、離子注入、薄膜生長、化學(xué)機械平坦等；后道設(shè)備包括減薄、劃片、打線、Bonder、FCB、BGA 植球、檢查、測試設(shè)備等。2023年上半年，受行業(yè)去庫及制裁收緊影響，半導(dǎo)體設(shè)備銷售額受到明顯影響，出現(xiàn)一定程度下滑。2023年下半年開始中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額出現(xiàn)明顯回暖，4Q23中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達121.29億美元，同比+90.81%，反映出中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備旺盛需求。與此同時，2023年中國大陸占全球半導(dǎo)體前道設(shè)備市場比例已達35%，是半導(dǎo)體前道設(shè)備中最大的細分市場。

競爭格局較為集中，國產(chǎn)替代空間遼闊。薄膜沉積、刻蝕和光刻設(shè)備是最重要的三大前道設(shè)備，各自所占市場規(guī)模達到均接近20%。目前半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代第一階段已初步完成，但部分環(huán)節(jié)仍處于“卡脖子”階段。在光刻機、量/檢測設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備、離子注入設(shè)備領(lǐng)域，整體國產(chǎn)化率仍然較低，但在清洗設(shè)備、部分刻蝕設(shè)備、CMP設(shè)備及熱處理設(shè)備領(lǐng)域已完成基本國產(chǎn)化替代。展望未來，隨先進制程產(chǎn)品逐步成熟以及先進制程持續(xù)擴產(chǎn)，國產(chǎn)廠商設(shè)備有望在導(dǎo)入窗口內(nèi)進一步成熟，持續(xù)提升整體國產(chǎn)化率。整體來說，看好國產(chǎn)廠商自身產(chǎn)品逐漸突破，隨先進制程持續(xù)擴產(chǎn)而迎來國產(chǎn)化率逐步提升。

制程逐漸突破，帶動設(shè)備投入增加。隨著先進制程的開發(fā)，芯片制程不斷縮小，摩爾定律逐步失效，對晶圓代工廠帶來的建設(shè)成本急速上升。5nm芯片的晶圓廠建設(shè)成本高達54億美元是7nm的1.8倍。其中，晶體管結(jié)構(gòu)從平面走向立體，芯片結(jié)構(gòu)走向3D化，對刻蝕和薄膜沉積設(shè)備“量價齊升”。由于目前先進工藝芯片加工使用的光刻機受到波長限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工多通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合，使得刻蝕等相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多且60：1及以上高深寬比設(shè)備使用次數(shù)增加，刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備越來越成為關(guān)鍵核心的設(shè)備，在芯片制造環(huán)節(jié)的使用頻率及設(shè)備單價均有顯著提升。

光刻機陸續(xù)到貨，下游需求持續(xù)回暖，看好國內(nèi)晶圓廠后續(xù)下單擴產(chǎn)。根據(jù)中國海關(guān)總署的數(shù)據(jù)，1Q24中國從荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備進口額達到21.67億美元，同比+290.4%，一季度到貨光刻機共計54臺，ASML1Q24收入中中國大陸地區(qū)占比持續(xù)提升，已達49%。根據(jù)IDC和Canalys數(shù)據(jù)，手機出貨連續(xù)三個季度保持正增長，PC出貨量連續(xù)兩個季度同比向上；同時，部分芯片設(shè)計公司已從“被動補庫存”階段陸續(xù)進入“主動去庫存階段”，22Q4開始已經(jīng)有部分芯片設(shè)計廠商庫存水位下降，大多數(shù)芯片設(shè)計公司庫存呈企穩(wěn)態(tài)勢。2023年中芯國際資本開支76.33億美元，同比+21.9%，根據(jù)中芯國際年報，24年資本開支預(yù)計將持平。邏輯類代工大廠維持高資本開支疊加國內(nèi)存儲大廠年內(nèi)有望招標擴產(chǎn)，24年規(guī)劃內(nèi)擴產(chǎn)有望逐步落地，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望迎來訂單大年。

國內(nèi)存儲廠商的招標和設(shè)備下單的情況有望得到積極的改善，看好訂單彈性較大的中微公司、拓荊科技；隨著半導(dǎo)體周期走出底部，一些成熟制程大廠的資本開支有望重新啟動，自主可控疊加復(fù)蘇預(yù)期，看好其中國產(chǎn)化率較低的中科飛測、芯源微；同時2024年先進制程設(shè)備研發(fā)與驗證導(dǎo)入持續(xù)推進，看好國產(chǎn)設(shè)備平臺公司北方華創(chuàng)。


半導(dǎo)體設(shè)備市場將迎來復(fù)蘇

2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模同比下降1.3%至1,063億美元，中國大陸仍為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場。預(yù)計2024年市場將迎來復(fù)蘇，并在2025年達到1,240億美元的市場規(guī)模。

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場在5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的驅(qū)動下不斷擴大，市場規(guī)模由2019年的598億美元增長至2022年的1,076億美元，2017-2022年CAGR為15.8%。

2023年，受到下游芯片需求疲軟，以及終端庫存過高的影響，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模同比下降1.3%至1,063億美元。2023年，全球半導(dǎo)體設(shè)備支出排名前三的市場分別為中國大陸、韓國和中國臺灣，三者合計占據(jù)全球設(shè)備市場72%的份額，而中國大陸仍為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場。中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模也由2019年的135億美元增長至2023年的367億美元，2019-2023年CAGR為28.4%。

由于半導(dǎo)體市場具有周期性，在2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備投資額出現(xiàn)下滑后，預(yù)計2024年市場出現(xiàn)回暖，市場規(guī)模將達到1,095億美元，同比增長3.0%。2025年，在晶圓廠新建及產(chǎn)能擴增，以及前后端先進技術(shù)和解決方案的推動下，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將達到1,240億美元，同比增長13.3%。