補貼建廠、花錢搞研究，美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真的只靠錢？
關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體 臺積電 英特爾 三星
自2024年以來，英特爾、臺積電、三星、格芯等半導(dǎo)體大廠都已宣布獲得補貼。而近日，有消息稱美國存儲芯片制造大廠美光科技也將獲得逾60億美元的補貼。
如今，該消息得到了美光科技的證實。
61億美元
美光確認(rèn)獲高額補貼
當(dāng)?shù)貢r間4月25日，美光科技正式在其官網(wǎng)宣布，獲得61億美元政府補助。
美光在新聞稿中指出，已經(jīng)與美國政府簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》而獲得美國政府提供的61億美元資金補助，以支持愛達荷州和紐約州計劃的尖端內(nèi)存制造。
據(jù)悉，除了61億美元資金補助，美光還將受益于美國財政部的投資稅收抵免，該稅收抵免將為美光合格的資本投資提供25%的抵免。此外，紐約州政府也將為美光提供高達55億美元的激勵措施。
這些撥款以及額外的州和地方激勵措施將支持美光在愛達荷州建設(shè)一個領(lǐng)先的DRAM存儲器制造工廠，并在紐約州克萊鎮(zhèn)建設(shè)兩座先進DRAM存儲器制造工廠。新聞稿表示，美國政府的補貼將支持美光計劃到2030年為美國國內(nèi)領(lǐng)先的存儲器制造投資約500億美元的總資本支出。
美光表示，500億美元的投資金額也是美光未來20年在紐約和愛達荷州投資至多1250億美元、創(chuàng)造上萬個就業(yè)崗位計劃的第一步。
多家芯片制造商獲補貼
美國逾10座晶圓廠在路上
2022年，為重振美國半導(dǎo)體生產(chǎn)，美國政府正式通過了《芯片與科學(xué)法案》，其中包括向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持，為企業(yè)提供價值240億美元的投資稅抵免等。
而截至目前，除了美光的61億美元之外，美國政府此前已確定向臺積電、英特爾、格芯、三星等芯片制造商發(fā)放數(shù)百億美元的補貼。從數(shù)量上來看，上述廠商在美國建設(shè)（進行中和計劃）的晶圓廠已超10座。
4月15日，美國政府與韓國三星達成協(xié)議，將向該公司提供高達64億美元的直接資助，用于在得克薩斯州建立一個半導(dǎo)體生態(tài)集群，包括兩家生產(chǎn)4納米和2納米芯片的工廠。此外，還將建設(shè)一家專門負責(zé)研發(fā)的工廠，以及一個芯片組件封裝設(shè)施。
4月8日，美國商務(wù)部和臺積電簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT），基于《芯片與科學(xué)法案》，臺積電將獲得最高可達66億美元的直接補助。此外，臺積電還宣布，計劃在美國亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠。臺積電表示，其第三座晶圓廠將使用2納米或更先進的工藝生產(chǎn)芯片，并計劃在2028年開始生產(chǎn)。
3月20日，美國商務(wù)部與英特爾達成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），前者向英特爾提供至多85億美元的直接資金和最高110億美元貸款以擴大其高端芯片制造產(chǎn)能。按照計劃，英特爾將在美國四個州投入1000億美元，用于建設(shè)新工廠及升級現(xiàn)有工廠。包括在亞利桑那州和俄亥俄州大型工廠生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體，以及俄勒岡州和新墨西哥州小型工廠的設(shè)備研發(fā)和先進封裝項目。
2月19日，美國政府表示，將向格芯提供15億美元資金，以擴大半導(dǎo)體生產(chǎn)。根據(jù)格芯與美國商務(wù)部達成的初步協(xié)議，該公司將在紐約州馬爾他興建新廠，并擴大當(dāng)?shù)嘏c佛蒙特州伯靈頓既有的生產(chǎn)規(guī)模。
事實上，自2023年2月開放資助申請以來，美國CHIPS計劃辦公室（The CHIPS Program Office）已收到630多份意向書和180份項目申請。由于資金有限且申請數(shù)量巨大，CHIPS項目辦公室已近日宣布，計劃關(guān)閉半導(dǎo)體制造工廠的資助申請，將關(guān)閉對半導(dǎo)體工廠或晶圓廠的聯(lián)邦資助機會，“直至另行通知”。
斥資110億美元
美國計劃建立半導(dǎo)體研究中心
美國政府近日宣布斥資 110 億美元（當(dāng)前約 798.6 億元人民幣），設(shè)立專門的研發(fā)中心，推進半導(dǎo)體領(lǐng)域的相關(guān)研究。
拜登政府已宣布向美國國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）投資 50 億美元，該中心采用公私聯(lián)合體架構(gòu)，在相關(guān)政策扶持下推進半導(dǎo)體芯片及相關(guān)研究。
NSTC 將匯集政府、行業(yè)、勞工、客戶、供應(yīng)商、教育機構(gòu)、企業(yè)家和投資者，以加快創(chuàng)新步伐，降低參與半導(dǎo)體研發(fā)的壁壘，并直接滿足熟練、多樣化的半導(dǎo)體勞動力的基本需求。
美國商務(wù)部除了向 NTSC 撥款 50 億美元之外，還計劃撥款 30 億美元推進美國本土半導(dǎo)體封裝計劃、2 億美元用于創(chuàng)建美國芯片制造研究所（Chips Manufacturing USA Institute）、1.09 億美元用于 Chips Metrology 項目，剩余的 27 億美元用于后續(xù)投入到相關(guān)產(chǎn)業(yè)中。
美國發(fā)布微電子研究戰(zhàn)略
近日，白宮科學(xué)技術(shù)政策辦公室 (OSTP)發(fā)布了一項新戰(zhàn)略，以加強美國的微電子研發(fā) (R&D) 創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。正如兩黨《美國芯片法案》所呼吁的那樣，國家微電子研究戰(zhàn)略概述了未來五年的主要目標(biāo)和行動。
本《國家微電子研究戰(zhàn)略》提出了未來五年實現(xiàn)這些機遇所需的目標(biāo)、關(guān)鍵需求和行動。該戰(zhàn)略為聯(lián)邦部門和機構(gòu)、學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界、非營利組織以及國際盟友和合作伙伴提供了一個框架，以滿足關(guān)鍵需求并建立微電子研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施，從而支持未來半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。
在未來五年中，白宮和聯(lián)邦各部門及機構(gòu)將共同努力，推進四個相互關(guān)聯(lián)的目標(biāo)：
1.促進和加快未來微電子技術(shù)的研究進展
2.支持、建設(shè)和連接從研究到制造的微電子基礎(chǔ)設(shè)施
3.為微電子研發(fā)到制造生態(tài)系統(tǒng)培養(yǎng)和維持技術(shù)人才隊伍
4.創(chuàng)建一個充滿活力的微電子創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)，加速研發(fā)向美國產(chǎn)業(yè)的過渡
第一個目標(biāo)側(cè)重于若干領(lǐng)域的關(guān)鍵研究需求，這些領(lǐng)域是加快未來幾代微電子系統(tǒng)所需的進步所必需的。研究領(lǐng)域包括：可提供新功能的材料；電路設(shè)計、模擬和仿真工具；新架構(gòu)和相關(guān)硬件設(shè)計；先進封裝和異構(gòu)集成的工藝和計量；硬件完整性和安全性；以及將新創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)的制造工具和工藝，這些研究領(lǐng)域需要使用專用工具和設(shè)備。
第二個目標(biāo)的重點是支持、擴大和連接研究基礎(chǔ)設(shè)施，從小規(guī)模材料和器件級制造和表征，到原型設(shè)計、大規(guī)模制造以及高級裝配、封裝和測試。所需的工具包括軟件（包括設(shè)計工具）和商業(yè)規(guī)模的生產(chǎn)和計量硬件。國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也將為全國提供更多的高薪工作機會。
目標(biāo)三確定了支持學(xué)習(xí)者和教育者培養(yǎng)從研究到制造所需的技術(shù)人才的工作。
最后，第四個目標(biāo)是著眼于整個研發(fā)領(lǐng)域，提出了創(chuàng)建充滿活力的微電子創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)的戰(zhàn)略和行動，以加快新進展向商業(yè)應(yīng)用的過渡。主要工作不僅支持微電子技術(shù)發(fā)展途徑各階段的行動，還將各種網(wǎng)絡(luò)和活動連接起來，以建立微電子創(chuàng)新的良性循環(huán)。
這四個目標(biāo)將在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全球性質(zhì)背景下實現(xiàn)。與半導(dǎo)體制造供應(yīng)鏈一樣，支持微電子創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)的研究設(shè)施和人才也遍布世界各地。國際合作、貿(mào)易和外交是利用各種努力和資源、促進人才流動和研究合作、確保供應(yīng)鏈安全的重要工具。
這一戰(zhàn)略的實施將帶來一個充滿活力的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)，加速新的研究突破，支持這些進展向制造業(yè)的過渡，并為全美人民提供高薪工作。一個全面建設(shè)、四通八達的微電子研究基礎(chǔ)設(shè)施將為研究人員實現(xiàn)突破奠定基礎(chǔ)，并帶來良性的創(chuàng)新循環(huán)。
