被打壓的長(zhǎng)江存儲(chǔ),100%自研的QLC芯片,再次封神了!
關(guān)鍵詞: 三星 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 美光
眾所周知,目前國(guó)內(nèi)最牛的NAND閃存廠商,就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)了。
雖然在2016年左右才成立,但如今已經(jīng)是全球知名的3D NAND閃存廠商,全不過(guò)市場(chǎng)份額在5%左右,更是全球第一家量產(chǎn)232層3D NAND閃存的廠商。
不過(guò),后來(lái)大家也都清楚,因?yàn)榧夹g(shù)太先進(jìn),威脅到了美光、三星等的地位,被美國(guó)打壓,列入了“實(shí)體清單”。
不過(guò),雖然被打壓,但長(zhǎng)江存儲(chǔ)可一直沒(méi)有停止過(guò)前進(jìn)的腳步。
近日,長(zhǎng)江存存儲(chǔ)公開(kāi)展示了一種新的QLC 3D NAND閃存,內(nèi)部代號(hào)“X3-6070”,這種閃存,性能實(shí)在太強(qiáng)悍了。
首先在IO接口方面,達(dá)到了2400MT/s,相比上一代1600MT/s提升了足足50%,然后讀、寫(xiě)速度都提升了近100%。
其次,P/E擦寫(xiě)次數(shù)高達(dá)4000次,是上一代產(chǎn)品的4倍,上一代只有1000次,使用壽命大大延長(zhǎng)。
我們知道任何一款NAND產(chǎn)品,評(píng)價(jià)其性能,無(wú)非就是速度快不快,壽命長(zhǎng)不長(zhǎng)。如今長(zhǎng)江存儲(chǔ)這個(gè)QLC速度如此之快,壽命更是這么多,比MLC閃存都要牛了,堪稱封神之作了。
為什么會(huì)這么牛,這與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研的一項(xiàng)技術(shù)有關(guān),長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)叫做Xtackig晶棧架構(gòu),這個(gè)Xtackig架構(gòu),將存儲(chǔ)部分,和讀寫(xiě)部分分開(kāi)的。
在3D NAND閃存中,不能一味提高工藝,因?yàn)楣に囘M(jìn)入到14nm之后,越先進(jìn)就越不穩(wěn)定,存儲(chǔ)產(chǎn)品用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),穩(wěn)定大于天,比一切都重要。
但先進(jìn)工藝又決定了讀寫(xiě)速度、功耗什么的,于是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtackig,將就存儲(chǔ)和讀寫(xiě)部分分開(kāi),存儲(chǔ)部分采用穩(wěn)定的工藝,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)穩(wěn)定,而讀寫(xiě)部分采用先進(jìn)工藝,保證讀定速度,不像其它廠商的3D NAND閃存,采用的是同一種工藝,會(huì)受限于工藝制程。
而長(zhǎng)江存儲(chǔ)新的QLC閃存,采用了Xtackig技術(shù)后,升級(jí)了工藝和技術(shù),將穩(wěn)定和速度結(jié)合在了一起,于是有了如今這個(gè)效果。
可見(jiàn),任何產(chǎn)業(yè),只要掌握了真正的核心技術(shù),那么就算被打壓,也能想出辦法,制造出奇跡,華為如此,長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是如此,你覺(jué)得呢?
