4月20日，SK海力士官網(wǎng)宣布，其已在全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3DRAM新產(chǎn)品，容量較上一代HBM3DRAM提升50%，已向客戶提供樣品，正在接受客戶公司的性能驗(yàn)證，將在上半年內(nèi)完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，以“加強(qiáng)尖端DRAM市場主導(dǎo)權(quán)”。

SK 海力士表示：“繼去年 6 月率先量產(chǎn)業(yè)界首款 HBM3 之后，公司又成功開發(fā)出了內(nèi)存容量比前一代產(chǎn)品增加 50% 的 24GB 封裝產(chǎn)品。我們將在下半年向市場供應(yīng)新產(chǎn)品，以滿足由 AI 聊天機(jī)器人行業(yè)帶動的高端內(nèi)存產(chǎn)品的需求。”

公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)在此次此新產(chǎn)品采用了先進(jìn)（Advanced）MR-MUF3和TSV4技術(shù)。SK海力士表示，通過先進(jìn)MR-MUF技術(shù)加強(qiáng)了工藝效率和產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性，又利用TSV技術(shù)將12個比現(xiàn)有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊，實(shí)現(xiàn)了與16GB產(chǎn)品相同的高度。

HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次開發(fā)出來的一種內(nèi)存，由于它在實(shí)現(xiàn)運(yùn)行在高性能計(jì)算（HPC）系統(tǒng)中的生成型 AI 中起著至關(guān)重要的作用，因此受到了內(nèi)存芯片行業(yè)的廣泛關(guān)注。最新的 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)尤其被認(rèn)為是快速處理大量數(shù)據(jù)的理想產(chǎn)品，因此其被全球主要科技公司采用的情況越來越多。

目前，SK 海力士已經(jīng)向多個對最新產(chǎn)品表達(dá)了極大期待的客戶提供了 24GB HBM3 產(chǎn)品的樣品，同時該產(chǎn)品的性能評估也在進(jìn)行中?！癝K 海力士之所以能夠不斷開發(fā)出一系列超高速和高容量的 HBM 產(chǎn)品，是因?yàn)樗诤蠖斯に囍羞\(yùn)用了領(lǐng)先的技術(shù)，”SK 海力士封裝測試部門負(fù)責(zé)人洪相厚說，“公司計(jì)劃在今年上半年完成新產(chǎn)品的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，以進(jìn)一步鞏固其在 AI 時代尖端 DRAM 市場中的領(lǐng)導(dǎo)地位?！?/p>